쇼트키 다이오드와 p-i-n 다이오드

쇼트키 다이오드

금속-반도체 접촉(예를 들면 n-형 실리콘 기판과 접촉되어 있는 알루미늄 박층)을 가진 다이오드이다. 이 다이오드는 1938년에 이러한 종류의 접촉에서 일어나는 정류 작용을 설명한 독일의 물리학자 발터 H. 쇼트키의 이름을 딴 것인데, 전기적으로 p-n 접합과 유사하지만, 전류 흐름의 대부분이 고유 고속 반응성을 지닌 다수운반자에 의한 것이다. 이것은 고주파 저잡음혼합기와 스위치 회로에 광범위하게 사용되고 있다. 금속-반도체 접촉은 비정류적일 수도 있다. 즉 인가전압의 극성에 상관없이 무시할 만한 저항을 갖는다는 것이다. 이러한 접촉을 저항성 접촉(ohmic contact)이라 부른다. 집적 회로뿐만 아니라 모든 반도체 소자는 전자 시스템에서 다른 소자와 연결되기 위해서 저항성 접촉을 필요로 한다.

 

 

 

 

p-i-n 다이오드

p-i-n다이오드는 p-n 접합의 사이에 'i-영역'이라는 고유층을 샌드위치처럼 끼워넣은 모양의 불순물 분포구조를 갖는 p-n 접합이다. p-i-n 다이오드는 초단파 회로에서 광범위하게 응용되고 있다. 그것은 본질적으로 i영역의 두께와 같은 간격을 가진 평행판 축전기의 전기용량과 똑같은 일정한 공핍층 전기용량과 고전력 소비성능을 지니는 초단파 스위치로 사용될 수 있다.

 

 

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Posted by  Mr.반