전이 전자 다이오드와 IMPATT 다이오드

전이 전자 다이오드

전이 전자 다이오드(TED)는 2개의 저항성 접촉을 지닌 n-형 화합물반도체(예를 들면 비소화갈륨•인화인듐[InP])로 되어 있다. 다이오드를 가로지르는 전기장이 걸리면, 다이오드는 음저항 현상을 보인다. TED는 국부 발진기 및 1~100㎓의 초단파 주파수 범위에 적용될 수 있는 전력 증폭기로 사용되어왔다. TED는 레이더•침입경보기•초단파시험기구에서 사용되는 중요한 반도체 초단파원으로 쓰였다.

 

 

 

 

IMPATT 다이오드

IMPATT(impact ionization avalanche transit time) 다이오드는 또하나의 중요한 반도체 초단파 전력 공급원이다. 이것은 초단파 주파수에서 음저항을 만들기 위해서 충격 이온화(역방향 접합 파괴와 관련된 현상)와 주행시간 특성(즉 p-n 접합의 공핍층을 가로지르는 전하 운반자)을 사용한다. IMPATT 다이오드에서 발견되는 형태의 음저항 현상은 통상적인 p-n 접합, 쇼트키 다이오드 및 특정 불순물 분포를 지닌 많은 접합 다이오드로부터도 얻어질 수 있다. 반도체 소자 중에서 IMPATT 다이오드는 밀리미터파 주파수에서(즉 30㎓ 이상) 가장 높은 연속파 출력을 낼 수 있다.

 

 

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Posted by  Mr.반