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반도체 공정기술 전기전도도가 도체와 절연체의 중간 정도인 결정형 고체들. 집적회로를 제작하는 데는 많은 개별 공정이 필요하다. 잘 동작하는 소자를 만들기 위해서는 각 공정이 정확히 조절되어야 하며 신중하게 연계되어야 한다. 특정한 공정이 소자마다 다를 수 있지만 전체 과정은 근본적으로 같다. 각 제조공정은 재료과학•화학•화학공학의 기본 원리에 크게 의존한다. 소자의 설계와 시험은 전기공학의 영역이다. 집적회로는 저항•트랜지스터•축전기•다이오드의 다양한 조합으로 이루어지지만 반도체 회로의 일반적인 구성과 동작은 그중 트랜지스터 하나만을 고려하여도 이해될 수 있다. n-채널 금속산화막반도체(MOS) 트랜지스터(그림10)에는 p-형 실리콘 기판으로 확산하여 고농도로 도핑된(단위체적당 1,018개 이상의 불순물을 가짐) 2개의.. 2014. 10. 9.
오늘의 반도체 뉴스 2014년 10월 8일 오늘의 반도체 뉴스 1. 백열등 몰아낸 LED 혁명 주역 일본계 3명 노벨물리학상 받아 (중앙일보 2014-10-08) 기사 미리보기 21세기 ‘램프 혁명’을 이끈 일본계 과학자 3명에게 올해 노벨물리학상이 돌아갔다. 아카사키 이사무(赤崎勇·85) 일본 나고야대·메이조대 교수, 아마노 히로시(天野宏·54) 나고야대 교수, 나카무라 슈지(中村修二·60) 미국 샌타바버라 캘리포니아(UC샌타바버라)대 교수가 주인공이다. 스웨덴 왕립과학원 노벨물리학상 선정위원회는 7일 “에너지 효율이 높고 친환경적인 광원(光源)인 푸른색 발광다이오드(LED)를 개발하는 데 공헌했다”며 세 사람을 수상자로 선정했다. 아카사키·아마노는 일본 국적이고 나카무라는 일본에서 나고 자랐지만 현재 미국 국적이다. 이로써 일본 출신 노벨 과.. 2014. 10. 8.
오늘의 반도체 뉴스 2014년 10월 7일 오늘의 반도체 뉴스 1. 우선은 반도체…삼성 다음 한 수는? (중앙일보 2014-10-07) - 오늘 3분기 실적 발표 - 투자로 미래 개척 기사 미리보기 “그간의 성공이 자만과 안일함을 낳았다.” 3분기 삼성전자 잠정실적 발표를 하루 앞둔 6일 삼성그룹의 고위 임원이 털어놓은 고백이다. 공교롭게도 이날은 삼성전자가 경기도 평택 산업단지에 15조6000억원을 투자해 세계 최대 규모의 최첨단 반도체 라인을 건설한다고 발표한 날이다. 이처럼 천문학적인 규모의 투자 계획을 내놨지만 정작 삼성전자의 분위기는 전에 없이 어둡다. 기사 바로가기 2. 반도체 제조장비·소재분야 특허경쟁력 높인다 (아시아경제 2014-10-07) - 특허청, ‘반도체 제조장비·소재분야 특허경쟁력 제고 방안’ 마련 기사 미리보기 정부가 .. 2014. 10. 7.
오늘의 반도체 뉴스 2014년 10월 6일 오늘의 반도체 뉴스 1. 삼성 "평택반도체공장 15만명 고용·40조원 경제효과" (연합뉴스 2014-10-06) - 김기남 반도체총괄 사장 "내년 메모리 시장 안정 유지할 것" 기사 미리보기 삼성전자의 반도체사업을 책임지는 김기남 반도체총괄 겸 시스템LSI 사장은 6일 경기도 평택 고덕국제화계획지구 산업단지에 조성되는 삼성전자의 신규 반도체 생산라인에 대해 "본격 가동되면 총 15만명의 직·간접 고용 창출과 40조원의 생산부가 효과가 발생할 것으로 본다"고 밝혔다. 기사 바로가기 2. 한국SEMI, 국제인쇄전자컨퍼런스2014 개최 (디지털전자산업뉴스 2014-10-06) 기사 미리보기 국제반도체장비재료협회(한국SEMI www.semi.org)는 9월 30일 서울 삼성동 코엑스에서 “제1회 국제인쇄전자컨퍼.. 2014. 10. 6.
금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 전기전도도가 도체와 절연체의 중간 정도인 결정형 고체들. 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(Matel-oxidesemiconductor field-effect transistor/MOSFET)는 다이오드와 트랜지스터 같은 반도체 소자를 10만 개 이상 포함하는 초고밀도 집적회로(VLSI)를 제작하는 데 가장 중요한 소자이다. MOSFET는 전계효과 트랜지스터군의 하나인데, 이 군에는 위에서 언급된 MESFET와 JFET도 포함되어 있다. n-채널 MOSFET의 개략도는 그림9에 나와 있다. 이것은 MESFET와 비슷하게 보이지만 다음과 같은 4개의 주된 차이가 있다. ① MOSFET의 드레인은 저항성 접촉이 아니라 정류성 p-n 접합이다. ② 게이트는 금속산화물반도체 구조이다. 이는 절연체인 실리콘.. 2014. 10. 2.
오늘의 반도체 뉴스 2014년 9월 30일 오늘의 반도체 뉴스 1. ‘공공의 적’ 등장에... 삼성-애플 ‘화해’? (시선뉴스 2014-09-30) (기사요약) 삼성전자와 애플의 화해 분위기가 이어지고 있다. 일단 삼성전자의 반도체 기술력을 감안한 애플의 결정인 것으로 보이지만, 일각에서는 빠르게 성장하는 중국 스마트폰 시장에 대응하기 위해 삼성-애플간 공동 전선 구축의 가능성도 점쳐지고 있다. 29일 업계에 따르면, 애플은 내년 초 출시 예정인 애플워치의 두뇌 역할을 맡을 애플리케이션프로세서(AP) 위탁생산(파운드리)를 삼성전자에 맡긴 것으로 전해졌다. 아울러 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체 역시 삼성전자 제품을 일부 쓴 것으로 알려졌다. >> 기사 전문보기 2. [新 차이나 쇼크] [1] 삼성 최첨단 V낸드(3차원 수직구조 반도체) 반도체基.. 2014. 9. 30.

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