오늘의 반도체 뉴스 2016년 4월 6일

1. 삼성, '10나노급 D램 시대' 열었다… 반도체 한계 돌파 (2016-04-06 머니위크) 

기사 미리보기

삼성전자가 세계 최초로 ‘10나노급 D램 반도체 시대’를 열었다. 10나노급(18나노) 8Gb DDR4 D램의 양산으로 다시 한 번 반도체 미세공정의 한계를 돌파한 것. 삼성전자는 5일 “세계 최소 크기인 10나노급 8기가비트(Gb) D램 기술을 확보해 지난 2월부터 양산을 시작했다”고 밝혔다. 1나노는 10억분의 1미터, 머리카락을 1만개로 쪼갠 크기다. 같은 크기의 웨이퍼에 보다 더 촘촘하게 회로선을 넣을수록 반도체의 생산량은 늘어난다. 

기사 바로가기

2. 반도체 마의 벽 넘은 삼성 “中, 따라와 봐”(2016-04-06 동아일보)

기사 미리보기

5일 삼성전자가 세계 최소 크기의 10나노급(18나노) 8Gb DDR4 D램 양산에 성공했다는 소식이 전해지자 국내 증권업계 관계자가 한 말이다. 그는 중국 정부의 전폭적인 지원 아래 막대한 투자를 시작한 중국 반도체 업체에 대한 막연한 불안감이 어느 정도 가셨다는 얘기까지 했다.  

기사 바로가기

3. 미래 전자소재 '흑린 반도체 박막' 대량생산 기술 개발 (2016-04-06 연합뉴스)

기사 미리보기

그래핀을 이을 미래 전자소자 재료로 주목받는 고결정성 흑린(BP) 박막을 손쉽게 제조할 수 있는 기술을 국내 연구진이 개발했다. 한국기초과학지원연구원(KBSI)은 6일 환경소재분석본부 나노표면연구팀 이주한 박사팀이 홍익대 박병남 교수팀과 함께 흑린 덩어리에서 원자 1∼3개 층 두께의 고결정성 흑린 박막을 대량 생산할 수 있는 기술을 개발했다고 밝혔다.

기사 바로가기

4. 차세대 반도체 소자 ‘흑린’ 대량생산 방법 찾아냈다 (2016-04-06 동아사이언스)

기사 미리보기

국내 연구진이 차세대 반도체 소자 재료로 주목받고 있는 ‘흑린’을 이용해 박막(얇은 막)을 손쉽게 얻어내는 방법을 처음으로 개발했다. 흑린 실용화에 큰 진전이 있을 것으로 보인다. 이주한 한국기초과학지원연구원 나노표면연구팀 책임연구원 팀은 박병남 홍익대 교수팀과 공동으로 액상 박리법을 이용해 흑린 덩어리에서 결정성 높은 원자층 단위의 흑린 박막을 얻는 데 세계 최초로 성공했다고 6일 밝혔다.

기사 바로가기