Fin-FET1 반도체, 그리고 현재 - 누설전류를 해결하는 기술 High-K와 Fin-FET 지난 글에서는 반도체가 상용화된 후, 너무 작아진 게이트 렝스가 '누설전류'를 유발하기 시작했다는 점을 언급했다. 그래서 반도체 제조 업체들이 게이트 렝스를 줄이고 게이트 절연체 두께를 얇게 만들어도 누설전류가 최소화되는 방법을 연구하기 시작했다. 이번 글에서는 누설전류를 해결하기 위해 등장한 대표적인 기술인 'High-K'와 'Fin-FET'에 대해 알아볼 것이다. High-K 우리가 지금까지 많이 들어본 ‘Low-K’는 반도체의 트랜지스터 부분이 아닌, 트랜지스터에 입력되거나 출력되어 나온 전류 혹은 신호들이 전달되는 일반 금속 배선들에 사용되는 절연 물질이다.즉, 전기 스위치를 예를 들면 에서 보는 것과 같이 High-K는 스위치 역할을 하는 게이트에 사용되는 절연 물질이고, Low-K는 그 스위치.. 2014. 6. 16. 이전 1 다음
