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반도체357

오늘의 반도체 뉴스 2014년 9월 3일 오늘의 반도체 뉴스 1. 포스텍 조길원 교수 연구팀 ‘입는 전자기기’ 핵심기술 개발 (영남일보 2014-09-03) (기사요약) 포스텍 연구진이 지금보다 성능이 더욱 향상된 유기 박막 트랜지스터 개발에 성공했다. 포스텍은 지난 1일 화학공학과 조길원·오준학 교수 공동 연구팀이 기존보다 전하 이동도를 4배 향상시킨 나노 다공성 구조의 고성능 유기 박막 트랜지스터를 개발했다고 밝혔다. >> 기사 전문보기 2. SK하이닉스, 세계 최고속 모바일D램 개발…초당 51.2GB 처리 (헤럴드경제 2014-09-03) (기사요약) SK하이닉스가 업계 최초로 고성능 와이드 IO2 모바일 D램(WIO2) 개발에 성공했다고 3일 밝혔다. WIO2는 반도체 분야 표준화기구인 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 표준화를 진행.. 2014. 9. 3.
오늘의 반도체 뉴스 2014년 9월 1일 오늘의 반도체 뉴스 1. 종이처럼 얇고 구부러지는 디스플레이…전석우 KAIST 교수팀…친환경 그래핀 양자점 개발 (한국경제 2014-09-01) (기사요약) 종잇장처럼 얇으면서도 구부릴 수 있는 디스플레이를 만드는 데 활용할 그래핀 양자점이 개발됐다. KAIST는 전석우 신소재공학과 교수(사진)와 조용훈 물리학과 교수, 유승협 전기및전자공학과 교수 공동연구팀이 흑연을 이용해 친환경 그래핀 양자점을 만드는 데 성공했다고 31일 발표했다. >> 기사 전문보기 2. 휘었다 펴지는 TV·테두리 없는 3화면 디스플레이 '돌풍' 예고…국제家電박람회 IFA 5일 독일서 개막…삼성·LG, 미래 TV기술 격돌 (한국경제 2014-09-01) (기사요약) 31일 업계에 따르면 삼성전자와 LG전자는 IFA에서 나란히 8K .. 2014. 9. 1.
우리 주위에 성큼 다가온 최신 기술들 - 2편 이제는 물건들을 계산할 시간이다. 온리코인이라는 회사는 ‘코인’이라는 디지털 신용카드를 만들었다. 크기는 일반 신용카드와 비슷하지만, 하나의 디지털 카드로 여러 장의 신용카드를 통합한 것이다. 즉, 여러 장의 신용카드를 가지고 다닐 필요 없이 하나의 디지털 신용카드가 이를 대신할 수 있다는 것이다. 이 디지털 신용카드는 등록해 놓은 여러 가지 카드 중에 원하는 것 하나를 선택해 결제할 수 있는데, 일반 레스토랑이나 매장에 있는 기존 플라스틱 신용카드 리더기를 사용해도 된다. 물론 이보다 더 발전한 기술도 있다. 2013년 핀란드에 있는 UNIGUL이라는 회사가 만든 ‘얼굴 인식 결제 기술’이다. 계산대 카메라 앞에 결제하려는 고객이 서 있으면 그 사람의 얼굴을 인식해 구매 금액을 결제하기 때문에 지갑을 .. 2014. 9. 1.
오늘의 반도체 뉴스 2014년 8월 29일 오늘의 반도체 뉴스 1. 프리스케일, 무선 충전 IC 레퍼런스 디자인 공개 (임베디드뉴스 2014-08-29) (기사요약) 프리스케일 반도체(www.freescale.com, 이하 프리스케일)가 금일(28일) 휴대기기 및 자동차 분야를 목표로 하는 다양한 풀 프로그래머블 무선 충전 IC와 레퍼런스 디자인을 공개했다. 맞춤 구성이 극도로 제한적인 경쟁 제품과 달리 프리스케일의 새로운 제품군은 설계 혁신을 유도하고 차별화된 무선 충전 시스템의 신속한 개발을 지원한다. >> 기사 전문보기 2. 삼성전자, 메모리사업 최종병기 'V낸드'…낸드플래시 시장서 V낸드 비중, 2018년 26%까지 성장 (아시아투데이 2014-08-29) (기사요약) 삼성전자가 차세대 낸드플래시 ‘V낸드’에 주력하고 있다. 솔리드스테이트.. 2014. 8. 29.
오늘의 반도체 뉴스 2014년 8월 28일 오늘의 반도체 뉴스 1. 스마트폰 더 빨라진다… JEDEC, LPDDR4 모바일 D램 표준규격 확정 (디지털데일리 2014-08-28) (기사요약) 28일 국제반도체표준협의기구(Joint Electron Device Engineering Council, JEDEC)는 LPDDR4의 표준 규격(JESD209-4)을 확정해 발표했다. LPDDR4는 초당 3200메가비트(Mb)를 전송할 수 있다. JEDEC은 추후 이 속도가 4266Mb/s로 높아질 것이라고 설명했다. 이는 기존 LPDDR3(2133Mb/s) 대비 2배 빠른 것이다. 동작 전압(V)은 1.2V에서 1.1V로 낮아져 완성품의 전력 소모량도 줄어들 것으로 보인다. >> 기사 전문보기 2. 르네사스일렉트로닉스코리아, 제2회 마이크로컨트롤러 디자인 .. 2014. 8. 28.
쇼트키 다이오드와 p-i-n 다이오드 쇼트키 다이오드 금속-반도체 접촉(예를 들면 n-형 실리콘 기판과 접촉되어 있는 알루미늄 박층)을 가진 다이오드이다. 이 다이오드는 1938년에 이러한 종류의 접촉에서 일어나는 정류 작용을 설명한 독일의 물리학자 발터 H. 쇼트키의 이름을 딴 것인데, 전기적으로 p-n 접합과 유사하지만, 전류 흐름의 대부분이 고유 고속 반응성을 지닌 다수운반자에 의한 것이다. 이것은 고주파 저잡음혼합기와 스위치 회로에 광범위하게 사용되고 있다. 금속-반도체 접촉은 비정류적일 수도 있다. 즉 인가전압의 극성에 상관없이 무시할 만한 저항을 갖는다는 것이다. 이러한 접촉을 저항성 접촉(ohmic contact)이라 부른다. 집적 회로뿐만 아니라 모든 반도체 소자는 전자 시스템에서 다른 소자와 연결되기 위해서 저항성 접촉을 필.. 2014. 8. 28.

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