ChipArray® BGA (CABGA / LFBGA)


앰코 칩어레이 패키지는 라미네이트 기판을 사용하며 솔더볼을 붙인 형태로 제공된다. 패키지 크기가 칩 크기에 근접하기 때문에 표준 크기와 솔더볼 수가 정해져 있다. 칩어레이 패키지는 기존의 표준 어셈블리 기술을 사용하고 있고 PBGA와 매우 유사하다. 기존 SMT 실장 프로세스와 기술 또한 접목이 가능하다. 패키지 크기와 설계 면에서 실장 면적이 작고 속도가 빠른 RF 분야에도 적합하다. 이 IC 패키지 기술은 기존의 PBGA보다 작은 패키지 크기를 요구하는 메모리, 아날로그, ASIC, 로직, RF, 단순한 PLD 분야에 적용가능하며, 저가이면서 최소의 면적, 고속을 요구하는 휴대전화, 노트북, 미니 노트북, PC, 위성탐지시스템, PDA 및 여타의 무선통신시스템을 그 적용분야로 분류할 수 있다.


▲ ChipArray® 구조



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VisionPak® LCC (Leadless Chip Carrier)


VisionPak® Leadless Chip Carrier(LCC) 디자인은 고온소성 세라믹 (HTCC)을 기판으로 사용하고 광학적으로 투명한 리드(뚜껑)를 사용한다. 전 자동으로 작동되는 UV에폭시 디스펜서(뿌리개)와 유리 뚜껑을 정확하게 위치시킴으로써 이미지 포착 응용 분야에서 요구되는 정확도를 제공한다. VisionPak® 표준실장구조는 부분 캐비티(cavity)의 높이가 0.2 mm인 CLCC. 또한 VisionPak® LCC 는 LGA의 형태로 제공되기도 한다.


앰코코리아 제조라인은 이미지 센서의 입자 오염을 최소로 하기 위해 ISO인증의 청정도를 유지하며 바닥의 높이도 높이는 등 명실공히 최고의 어셈블리 설비와 기술을 보유하고 있다. VisionPak® LCC는 빠른 경화 다이 어태치 공정과 함께 칩과 유리의 정확한 배치를 포함하는 또 다른 경비 절감 매트릭스 어셈블리 공정을 제공한다. VisionPak®LCC 는 광학기기 시장에서 유연한 패키지 솔루션을 제공하며, 특히 디지털카메라, 기계의 광학 시스템, 스캐너, 센서, 생물측정 기기나 IR 모니터에 적합하다.


사진 출처 : http://www.amkor.co.kr/



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SFFMC (Small Form Factor Memory Cards)


SFFMC(Small Form Factor Memory Cards) 어셈블리와 테스트에서는 여러 개의 칩과 수동소자들을 같은 모듈에 실장하는 것이 가능하고, LF구조는 멀티칩과 와이어다이버전만을 지원한다. SFFMC는 와이어 본딩, 몰딩, 기판 공정 등에서 기존의 공정을 사용하며, 최종공정에서 모듈에 플라스틱을 입힌다(몰딩).

유연성을 확보할 수 있는 칩-와이어를 기반으로 한 디자인을 사용함으로써 얻을 수 있는 여러 가지 장점이 있는데, 그 중 첫 번째가 규격에 맞추어 MMC/SDC 성능을 극대화 할 수 있는 기판을 설계할 수 있다는 점이다. LF구조는 칩과 칩을 연결하는 본딩을 최적화하는 맞춤형 리드프레임를 사용한다. 또 다른 장점은 뛰어난 물리적 강도. 몰딩공정이 적용되기 때문에 견고함을 가진다.

모든 카드 형태는 동일 기판에 하나의 표면 실장 접면 내 메모리 칩 적층이 가능하다. 이 방식을 사용하여 기판/리드프레임을 다시 설계하지 않고도 메모리 용량을 증가시킨다. 또한 SFFMC는 표면실장 가능한 패키지 자체를 이용할 수도 있다. 패키지 자체를 사용함에 따라 얻는 이점은 표면실장 전에 칩을 테스트할 수 있고, 양품의 패키지만을 SFFMC의 공정에 사용한다는 점이다. LF구조는 완전 몰딩이 가능하다.


▲ SFFMC의 구조

사진 출처 : http://www.amkor.co.kr/



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Ultra CSP™ (UFBGA/WLCSP) Wafer Level Packaging


Flip Chip International로부터 라이센스를 제공받아 사용하는 Ultra CSP™는 웨이퍼 레벨 패키지. Ultra CSP™은 JEDEC / EIAJ 표준 피치에 맞게 패드를 재구성하는 박막 경로 재구성 프로세스를 포함하며, 기존 CSP 솔더 범프(bump)들이 이 재구성된 패드(pad) 위에 형성된다. Ultra CSP™는 산업표준 표면 실장 어셈블리와 리플로우 기술들을 그대로 접목할 수 있다. 기존 표면실장 장비를 사용하고 언더필(underfill)을 사용하지 않기 때문에, 여타의 JEDEC 표준 어레이 패키지(array package)들과 더불어 비용적인 측면에서 많은 장점이 있다. Ultra CSP™은 크기가 작고 비용이 저렴하여 개선된 신호전송 성능을 요구하는 통신 및 관련 응용분야에 적합하며, EEPROM, flash, DRAM, integrated passive networks, 표준 아날로그 제품군에 적용될 수 있다. 제품에는 휴대폰, PDA, 노트북, 디스크 드라이브, 디지털 카메라, MP3 플레이어, GPS 항법장치 등이 포함된다.


▲ Ultra CSP™ 패키지 구조

사진 출처 : http://www.amkor.co.kr/



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도체도 절연체도 아닌(따라서 반도체임) 성질을 가진 물질로 만들어진 전자회로 부품.

이것은 정류기, 증폭기, 스위치, 광검출기나 발광소자, 그밖의 기능에 쓰인다.


트랜지스터로 알려진 반도체 소자의 발명은 1947년 벨 전화연구소의 존 바딘, 월터 H. 브래튼, 윌리엄 B. 쇼클리에 의해 이루어졌으며, 이것은 제2의 산업혁명을 예고했다. 이후 10여 년 간의 연구개발로 트랜지스터는 그때까지 전자장치에 사용되던 전자관을 대체할 수 있는 방안이 되었으며, 디지털 컴퓨터 에 채택되어 사용되었다. 컴퓨터 제작자들은 기존의 것보다 효율적이며 작고 빠른 컴퓨터 시스템을 생산하기 위해 제어회로•산술회로•논리회로 등에 트랜지스터를 채택했다.



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전기전도도가 도체와 절연체의 중간 정도인 결정형 고체들.


집적회로를 제작하는 데는 많은 개별 공정이 필요하다. 잘 동작하는 소자를 만들기 위해서는 각 공정이 정확히 조절되어야 하며 신중하게 연계되어야 한다. 특정한 공정이 소자마다 다를 수 있지만 전체 과정은 근본적으로 같다. 각 제조공정은 재료과학•화학•화학공학의 기본 원리에 크게 의존한다. 소자의 설계와 시험은 전기공학의 영역이다.


집적회로는 저항•트랜지스터•축전기•다이오드의 다양한 조합으로 이루어지지만 반도체 회로의 일반적인 구성과 동작은 그중 트랜지스터 하나만을 고려하여도 이해될 수 있다. n-채널 금속산화막반도체(MOS) 트랜지스터(그림10)에는 p-형 실리콘 기판으로 확산하여 고농도로 도핑된(단위체적당 1,018개 이상의 불순물을 가짐) 2개의 n-형 영역이 있다. 이 기판의 위와 n-영역들 사이에는 이산화규소의 박막(0.03~0.3㎛)이 있고 이 위에는 알루미늄 박막이 있다. 금속산화막반도체란 용어는 이러한 샌드위치 구조에서 유래되었다.


<그림> n-채널 MOS 트랜지스터


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전기전도도가 도체와 절연체의 중간 정도인 결정형 고체들.


금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(Matel-oxidesemiconductor field-effect transistor/MOSFET)는 다이오드와 트랜지스터 같은 반도체 소자를 10만 개 이상 포함하는 초고밀도 집적회로(VLSI)를 제작하는 데 가장 중요한 소자이다. MOSFET는 전계효과 트랜지스터군의 하나인데, 이 군에는 위에서 언급된 MESFET와 JFET도 포함되어 있다.


n-채널 MOSFET의 개략도는 그림9에 나와 있다. 이것은 MESFET와 비슷하게 보이지만 다음과 같은 4개의 주된 차이가 있다. 

① MOSFET의 드레인은 저항성 접촉이 아니라 정류성 p-n 접합이다. 

② 게이트는 금속산화물반도체 구조이다. 이는 절연체인 실리콘산화막이 금속 전극과 반도체 기판 사이에 끼워져 있다는 것을 의미한다. 반면에 MESFET에서 게이트 전극은 금속-반도체 접촉을 형성한다. 

③ 게이트 전극의 왼쪽 모서리는 소자의 작동을 쉽게 하기 위해서 소스와 정렬되거나 겹쳐져야 한다. 반면에 MESFET에는 게이트와 소스의 겹침이 없다. 

④ MOSFET는 4단자 소자이기 때문에 MESFET에 있는 소스, 드레인, 게이트 전극 외에 4번째의 기판 접촉이 있다. MOSFET의 가장 중요한 소자 매개변수 중의 하나는 채널 길이로 그림9에 표시된 것과 같이 두 n+-p 접합 사이의 거리 L을 말한다. MOSFET가 처음 나왔던 1960년에는 채널 길이가 20㎛ 이상이나 되었으나 현재 1㎛ 이하 되는 것들도 대량 생산되고 있으며 연구소 실험실 수준에서는 0.1㎛ 이하 되는 것들도 실현되고 있다.


<사진> MOSFET의 개략도 & n-채널과 p-채널의 전기기호 표시



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