건 효과 (Gunn effect)

반도체에 흐르는 전류의 고주파 진동.

이 효과는 마이크로파 발생장치인 건다이오드에 이용된다. 1960년대초 J.B. 건이 최초로 발견한 이래 몇 가지 물질에서만 발견되어왔다.

물질이 비화갈륨(GaAs)이나 황화카드뮴같이 건 효과를 나타내면 전자는 유동성이 다른 2가지 상태에 있을 수 있다. 유동성이 큰 상태의 전자는 낮은 상태의 전자보다 고체 내부를 더 쉽게 움직인다. 전압이 없는 상태에서 대부분의 전자는 유동성이 큰 상태이지만, 전압을 가하면 모든 전자는 보통의 도체 내부와 같이 움직이기 시작한다. 이 움직임이 전류로 되고, 더 큰 전압을 가하면 전자의 운동이 증가되어 더 큰 전류가 흐른다. 그러나 건 효과가 나타나는 물질에 큰 전압을 걸어주면 일부 전자가 유동성이 낮은 상태로 바뀌어 천천히 움직이고, 따라서 물질의 전기전도도가 감소한다. 건다이오드를 쓰는 전자회로에서는 전압과 전류(전자의 움직임) 사이의 이러한 독특한 관계를 응용하여 직류전원에서 고주파 교류를 얻을 수 있다.

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Posted by  Mr.반