반도체 공정기술

전기전도도가 도체와 절연체의 중간 정도인 결정형 고체들.

집적회로를 제작하는 데는 많은 개별 공정이 필요하다. 잘 동작하는 소자를 만들기 위해서는 각 공정이 정확히 조절되어야 하며 신중하게 연계되어야 한다. 특정한 공정이 소자마다 다를 수 있지만 전체 과정은 근본적으로 같다. 각 제조공정은 재료과학•화학•화학공학의 기본 원리에 크게 의존한다. 소자의 설계와 시험은 전기공학의 영역이다.

집적회로는 저항•트랜지스터•축전기•다이오드의 다양한 조합으로 이루어지지만 반도체 회로의 일반적인 구성과 동작은 그중 트랜지스터 하나만을 고려하여도 이해될 수 있다. n-채널 금속산화막반도체(MOS) 트랜지스터(그림10)에는 p-형 실리콘 기판으로 확산하여 고농도로 도핑된(단위체적당 1,018개 이상의 불순물을 가짐) 2개의 n-형 영역이 있다. 이 기판의 위와 n-영역들 사이에는 이산화규소의 박막(0.03~0.3㎛)이 있고 이 위에는 알루미늄 박막이 있다. 금속산화막반도체란 용어는 이러한 샌드위치 구조에서 유래되었다.

<그림> n-채널 MOS 트랜지스터

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Posted by  Mr.반