금속-반도체 전계효과 트랜지스터

전기전도도가 도체와 절연체의 중간 정도인 결정형 고체들.

금속-반도체 전계효과 트랜지스터(Metal-semiconductor field-effect transistor/MESFET)는 그 전도 과정에 주로 한 종류의 운반자만이 참여하기 때문에 단극성 소자이다. MESFET는 아날로그 회로와 디지털 회로 양쪽에 응용될 수 있는 많은 특성을 가지고 있다. 또 높은 전자 이동도를 지닌 반도체(예를 들면 이동도가 실리콘보다 5배나 더 큰 비소화갈륨)로 만들어질 수 있기 때문에 특히 초단파 증폭과 고속 집적회로에 유용하다. MESFET는 단극성 소자이기 때문에 소수 운반자 효과에 의해 영향을 받지 않으며, 따라서 쌍극성 트랜지스터보다 스위칭 속도가 더 빠르고 작동 주파수가 더 높다.

▲ <사진 1> MESFET의 개략도

▲ <사진 2> MESFET의 전류-전압 특성>

▲ <사진 3> MESFET의 전기기호 표시 (S는 소스, G는 게이트, D는 드레인)

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Posted by  Mr.반